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战魂级全国产NAND FLASH存储芯片

ONFI4.0标准 · TLC 3000次擦写 · 可申请ZZKK认证

100%全国产NAND FLASH存储芯片,遵循ONFI4.0标准接口,TLC类型擦写次数达3000次,I/O速率达800MB/s,支持-40℃~85℃宽温工作,可提供国产化证明。

工作温度
-40℃~85℃
容量范围
64GB-512GB
I/O速率
800MB/s
下载产品手册
战魂级NAND Flash存储芯片 战魂级

产品特性

战魂级全国产存储芯片方案

1

存储接口

遵循ONFI4.0标准接口

2

存储介质

TLC类型,擦写次数达3000次,寿命长、可靠性高

3

性能

I/O速率达800MB/s,数据传输高效

4

环境适应

工作温度-40℃~85℃,存储温度-45℃~90℃,可在振动、高压等极端环境稳定工作

5

国产化

100%全国产,可提供国产化证明,遵循GJB7400 N1规范要求

技术优势

战魂级自主可控存储方案

100%全国产,可申请ZZKK认证

ONFI4.0标准接口,兼容性强

TLC 3000次擦写,寿命长

I/O速率800MB/s,传输高效

规格参数

详细技术规格

技术规格

接口类型ONFI4.0标准
封装类型BGA132/BGA152
容量选择64GB/128GB/256GB/512GB
工作温度-40℃~85℃
存储温度-45℃~90℃
Flash类型TLC (3000次擦写)
I/O速率800MB/s
CE数4CE
国产化认证可申请ZZKK
质保期限5年质保服务

应用案例

自主可控场景验证

工业记录仪

应用于工业记录仪,高I/O速率保障数据快速写入,100%国产化满足自主可控需求。

高速I/O保障数据写入
100%国产化自主可控
遵循GJB7400 N1规范

专用数据存储设备

用于专用数据存储设备,TLC 3000次擦写寿命长,可在振动、高压等极端环境稳定工作。

TLC 3000次擦写寿命长
耐极端环境
可申请ZZKK认证
专业技术支持

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